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TN0201T中文资料

  • 大小:29.54KB
  • 厂家:VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:0.39 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):1000 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-236-3
  • 下降时间:10 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:350 mW
  • 上升时间:10 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 典型关闭延迟时间:12 ns

TN0201T供应商

更新时间:2023-01-05 07:37:48
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