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TN0201T中文资料

  • 大小：29.54KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.39 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：1000 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：350 mW
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：1000
  • 典型关闭延迟时间：12 ns

TN0201T供应商

更新时间:2023-01-05 07:37:48
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